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GSL-1100-JS-16C磁控溅射仪
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在磁控溅射中，由于运动电子在磁场中受到洛仑兹力，它们的运动轨迹会发生弯曲甚至产生螺旋运动，其运动路径变长，因而增加了与工作气体分子碰撞的次数，使等离子体密度增大，从而磁控溅射速率得到很大的提高，而且可以在较低的溅射电压和气压下工作，降低薄膜污染的倾向；另一方面也提高了入射到衬底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的质量。同时，经过多次碰撞而丧失能量的电子到达阳极时，已变成低能电子，从而不会使基片过热。
l经济、可靠、外观精美。
l成膜速率高。
l基片温度低，可以对温度敏感的材料进行镀膜。
l可实现大面积镀膜。
l可调节溅射电流和真空室压强以控制镀膜的速率和颗粒的大小，颗粒大小约4-20nm。
lSETPLASMA手动启动按钮可预先设置好压强和溅射电流避免对膜造成不必要的损伤。
l真空保护可避免真空过低造成设备短路。
l同时可以通过更换不同的靶材（金、铂、铱、银、铜等），以达到更细颗粒的涂层。
l通过通入不同的惰性气体以达到更纯净的涂层。
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安装条件 |
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主要参数 |
1.主机规格：300mm×360mm×380mm（W×D×H） 2.靶（上部电极）：金：50mm×0.1mm（D×H） 3.靶材：Au（标配） 4.样品室：玻璃腔体160mm×120mm（D×H） 5.靶材尺寸：Ф50mm 6.真空度：≤ 4X10-2 mbar 7.电流：100mA 8.定时器：数码计时 0-999S 9.镀膜面积：50mm 10.微型真空气阀：可连接φ3mm软管 11.可通入气体：多种 12.电压：-1600 DCV 13.机械泵：标准配置2L/S（国产VRD-8） 14.冷却方式：冷水机（可根据实验具体要求自备） 15.速率：0--60nm/min |
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